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環球晶圓半絕緣碳化矽晶圓及氮化鎵元件的技術開發計畫獲得國家補助

環球晶圓通過經濟部技術處A+企業創新研發淬鍊計畫—【新世代通訊用之半絕緣碳化矽 (S.I.-SiC) 晶圓及氮化鎵 (GaN) 元件的技術開發】,此計劃為期三年,預計執行期間至108年7月31日。透過經濟部技術處A+企業創新研發淬鍊計畫的協助,結合國內產、官、學、研相互的合作,建立台灣在全球高頻通訊上游原物料的供應鏈,未來將進一步結盟國內外相關產業。

氮化鎵結合半絕緣碳化矽是優越的化合物半導體技術,由於寬能隙及優越的熱導特性,在高頻功率元件的應用於極高功率仍保有穩定的特性。半絕緣碳化矽晶圓結合氮化鎵高功率高電子遷移率功率電晶體的產品與技術已趨向民生應用,未來亦可配合前瞻工業的需求益更加深層應用。環球晶圓以寬能隙材料氮化鎵(GaN)成長在半絕緣之碳化矽(SiC)基板為主軸,目標為成功研發應用於射頻(RF)用氮化鎵功率電晶體,產品市場的應用為4.5G/5G基地台(L/S/C-band)等。環球晶圓已投入相關前瞻研發超過5年,並且已具備A級技術水平。經由本計畫之執行,結合國內相關通訊產業,將可促進高頻高功率通訊產業鏈的完整發展,並提升國家產業競爭力!

此計劃完成後,環球晶圓將可在全球碳化矽晶圓供應鏈上佔有一席之地,開創台灣半絕緣性碳化矽基板市場的自主性,並提昇台灣的國際競爭力!