化合物半導體材料

近來因為電力電子系統以及行動通訊技術的蓬勃發展，對於基板的需求越來越高，傳統矽基板已無法符合最新的技術需求，氮化鎵與碳化矽材料成為最適合的解決方案之一。

這兩個材料皆擁有寬能隙特性，應用上可以展現相當高的崩潰電壓與抗高溫特性，適於應用最新的高功率元件。

氮化鎵材料也擁有高電子飽和遷移率特性，搭配半絕緣碳化矽基板，在高頻通訊元件上也展現出極佳的應用優勢。

氮化鎵與碳化矽為下一世代的關鍵半導體新材料。