環球晶圓的「低阻值矽基板之氮化鎵磊晶工程與射頻元件製程開發計畫」於今年五月中通過科學工業園區研發精進產學合作計畫，並於6月8日與科技部新竹科學工業園區管理局完成簽約!希冀經由與清華大學的產學合作，成功開發低阻值矽基板之氮化鎵磊晶工程與射頻元件製程，以因應未來智慧生活的時代來臨並引領工業4.0的全面導入，展現台灣半導體產業的精湛技術實力並成功行銷全球!
環球晶圓與國立清華大學電子工程研究所徐碩鴻教授共同研究合作「低阻值矽基板之氮化鎵磊晶工程與射頻元件製程開發計畫」，計劃執行期間自105年5月1日至106年4月30日。環球晶圓今年1月以此計畫向科技部新竹科學工業園區管理局申請105年度科學工業園區研發精進產學合作計畫，今年5月業經審查通過，並於6月8日與新竹科學園區管局辦理簽約事宜。環球晶圓為此計劃的申請機構，清華大學為此計劃的學研機構。
新世代氮化鎵Radio Frequency (RF) 元件，主要是成長在半絕緣碳化矽 (GaN on SiC) ，其優點是高電子遷移率，但缺點是SiC基板非常昂貴。藉由此計劃，環球晶圓將開發於CZ低阻值基板上成長GaN，並應用在RF元件。此為技術上的一大創新與突破，將對RF元件會有破壞式的創新! 環球晶圓的【低阻值矽基板之氮化鎵磊晶工程與射頻元件製程開發計畫】利用環球晶圓特有雙摻強化基板技術與使用新穎氮化鎵磊晶成長技術，使用低阻值高強度矽基板取代傳統高成本SiC 或FZ高阻值矽基板，並搭配清華大學徐碩鴻電子工程研究所教授的先進半導體製程技術，預期其結果將超越使用成長於高阻值矽基板上之高頻特性水準。
由於高功率與高頻率之優點，GaN RF未來的市場需求將會持續成長。環球晶圓【低阻值矽基板之氮化鎵磊晶工程與射頻元件製程開發計畫】使用低阻值高強度矽基板上成長氮化鎵磊晶，此技術於RF元件上具有低成本與高單價之競爭優勢，進而提昇環球晶圓的產品競爭力! 此外，經由此計畫所開發之技術，將可提升高電子移動率電晶體 (HEMT) 產業鏈之競爭力!因應寬能隙材料的崛起，除了逐漸明朗的Power HEMT外，射頻(RF)元件也備受關注。隨著科技的發展，工業4.0、大數據時代、智慧電網、智慧家庭以及電動車等民生需求，氮化鎵具有良好特性的優勢競爭力是高頻元件所不可或缺的。以Total Cost of Ownership (TCO) 及高頻特性來看，GaN on Si 使用於RF上，是切入民生需求最好的選擇。環球晶圓為首家發展氮化鎵射頻元件成長於低阻值矽基板之技術。對此結構的技術特徵，環球晶圓持續朝具發展潛力的市場進行專利佈局!